Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RSQ035N06HZGTR

MOSFET N-CH 60V 3.5A TSMT6

Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
RSQ035N06

RSQ035N06HZGTR Hakkında

RSQ035N06HZGTR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 3.5A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 70mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş kaybı sağlar. SOT-23-6 (TSMT6) yüzey montajlı paketinde sunulur. 150°C'ye kadar çalışma sıcaklığına dayanıklıdır. Geçit yükü 6.5nC ve giriş kapasitansi 430pF'dir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç yönetimi ve gerilim dönüştürücü tasarımlarında kullanılır. 4V ile tam anahtarlanabilen düşük geçit gerilim özelliğiyle entegre devre kontrolüne uygun bir transistördür.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 430 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 3.5A, 10V
Supplier Device Package TSMT6 (SC-95)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok