Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RSQ030N08HZGTR
MOSFET N-CH 80V 3A TSMT6
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RSQ030N08HZ
RSQ030N08HZGTR Hakkında
RSQ030N08HZGTR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 80V drain-source voltaj derecelendirmesi ve 3A sürekli dren akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 131mΩ (10V, 3A) maksimum on-direnci düşük enerji kaybı sağlar. SOT-23-6 (TSMT6) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücüler gibi çeşitli elektronik devrelerde kullanılır. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında ve maksimum 950mW güç disipasyonunda stabil performans sunar. 2.5V gate-source eşik voltajı ile çabuk açılma/kapanma sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.5 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 550 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 950mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 131mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | TSMT6 (SC-95) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok