Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RSQ025P03HZGTR
MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT6
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RSQ025P03
RSQ025P03HZGTR Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RSQ025P03HZGTR, 30V drain-source voltajı ve 2.5A sürekli drain akımı özelliklerine sahip P-Channel MOSFET transistörüdür. SOT-23-6 (TSMT6) yüzey montajlı paket içinde sunulan bu bileşen, 110mΩ (10V, 2.5A) on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışır, 950mW maksimum güç tüketimi ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Düşük gate charge (4.4nC @ 5V) ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. Güç yönetimi, motor kontrolü ve DC-DC konvertör gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.4 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 320 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 950mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TSMT6 (SC-95) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok