Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RSQ020N03HZGTR
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RSQ020N03
RSQ020N03HZGTR Hakkında
RSQ020N03HZGTR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltaj (Vdss) kapasitesine ve 2A sürekli drain akımına sahiptir. 134 mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kaçak akımı sağlar. SOT-23-6 (TSMT6) paket tipi, kompakt PCB tasarımlarında tercih edilir. Gate şarj kapasitesi 3.1 nC ve input kapasitesi 110 pF olup hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. -40°C ile +150°C arasında çalışabilir. DC-DC dönüştürücüler, düşük güçlü anahtarlama devreleri, motor kontrol ve genel amaçlı dijital anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.1 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 110 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 950mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 134mOhm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | TSMT6 (SC-95) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok