Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RSQ015P10HZGTR
MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT6
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RSQ015P10
RSQ015P10HZGTR Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RSQ015P10HZGTR, P-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilim, 1.5A sürekli drain akımı ve 470mΩ (10V, 1.5A) on-resistance değerleriyle tasarlanmıştır. SOT-23-6 (TSMT6) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 150°C maksimum çalışma sıcaklığında 950mW güç dağıtabilir. 17nC gate charge ve 950pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. Şarj kontrolü, güç yönetimi, load switching ve genel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. ±20V gate-source gerilim toleransı ile geniş uygulama alanına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 950 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 950mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 470mOhm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TSMT6 (SC-95) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok