Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RSQ015N06HZGTR

MOSFET N-CH 60V 1.5A TSMT6

Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
RSQ015N06

RSQ015N06HZGTR Hakkında

RSQ015N06HZGTR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 1.5A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 290mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. SOT-23-6 (TSMT6) yüzey montajlı paket ile küçük form faktör sunar. Düşük gate charge (2nC @ 5V) ve hızlı anahtarlama özelliği ile DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -40°C ile +150°C çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 110 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 290mOhm @ 1.5A, 10V
Supplier Device Package TSMT6 (SC-95)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok