Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RSJ650N10TL
MOSFET N-CH 100V 65A LPTS
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RSJ650N10TL
RSJ650N10TL Hakkında
RSJ650N10TL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilim ve 65A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. 9.1mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-263-3 (D²Pak) SMD paketinde sunulan bu bileşen, 150°C'ye kadar işletilme sıcaklığında çalışabilir. Genellikle DC-DC konvertörler, motor sürücüleri, güç kaynakları ve ağır akım anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 65A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 260 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10780 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.1mOhm @ 32.5A, 10V |
| Supplier Device Package | LPTS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok