Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RSJ550N10TL
MOSFET N-CH 100V 55A LPTS
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RSJ550N10TL
RSJ550N10TL Hakkında
RSJ550N10TL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 55A sürekli dren akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. Maksimum 16.8mOhm on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketi içinde gelir. 2.5V gate threshold voltajı ve ±20V maksimum gate gerilimi ile standart kontrol devreleriyle kolayca sürülebilir. 100W güç dağıtımı kapasitesi ve 150°C maksimum çalışma sıcaklığı ile endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında, güç yönetimi, anahtarlama devreleri ve motor kontrolü gibi alanlarda tercih edilir. 143nC gate charge değeri hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 55A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 143 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6150 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.8mOhm @ 27.5A, 10V |
| Supplier Device Package | LPTS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok