Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RSJ301N10TL
NCH 100V 30A POWER MOSFET : RSJ3
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RSJ301N10TL
RSJ301N10TL Hakkında
RSJ301N10TL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 100V drain-source gerilim değeri ile 30A sürekli dren akımını destekler. TO-263 paketinde sunulan bu bileşen, 46mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük direnç kaybı sağlar. 10V gate voltajında tam iletim özellikleri gösterir. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, PWM uygulamaları ve yüksek akım anahtarlama uygulamalarında kullanılan endüstriyel seviye bir güç transistörüdür. Maksimum 150°C işletme sıcaklığında 50W güç dağıtabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2100 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 46mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263S |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok