Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RSJ151P10TL

MOSFET P-CH 100V 15A LPTS

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
RSJ151P10

RSJ151P10TL Hakkında

RSJ151P10TL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 15A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. TO-263-3 (D²Pak) SMD paketinde sunulan bu bileşen, 120mΩ maksimum kanal direnci (Rds On) ve 64nC gate yükü özellikleri ile düşük güç kaybı sağlar. ±20V maksimum gate gerilimi ile geniş uygulama alanı sunar. 150°C'ye kadar çalışma sıcaklığında stabil performans gösterir. Güç yönetimi uygulamaları, anahtarlama devreleri, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3800 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.35W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package LPTS
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok