Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RSJ10HN06TL
MOSFET N-CH 60V 100A LPTS
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RSJ10HN06TL
RSJ10HN06TL Hakkında
RSJ10HN06TL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 100A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek akım anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 4.2mΩ düşük on-direnci (Rds On) ile enerji verimliliği sağlar. Surface mount TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu transistör, motor kontrol, DC-DC konvertörler, güç yönetimi devreleri ve ağır akım anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Maksimum 150°C işletme sıcaklığı ve 100W güç dağıtım kapasitesi ile tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 202 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11000 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | LPTS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok