Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RSH125N03TB1

MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOP

Paket/Kılıf
8-SOP
Seri / Aile Numarası
RSH125N03TB1

RSH125N03TB1 Hakkında

RSH125N03TB1, ROHM Semiconductor tarafından üretilen bir N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 12.5A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 10V gate geriliminde 9.1mΩ düşük on-state direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. 8-SOP yüzey monte pakete sahip bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerinde, motor sürücülerinde ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. ±20V maksimum gate-source gerilimi ve 2.5V threshold gerilimi ile çeşitli kontrol devrelerine entegre edilebilir. Düşük gate yükü (28nC @ 5V) ve input kapasitansi (1670pF @ 10V) hızlı anahtarlama özelliği sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1670 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.1mOhm @ 12.5A, 10V
Supplier Device Package 8-SOP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok