Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RSH065N06TB1

MOSFET N-CH 60V 6.5A 8SOP

Paket/Kılıf
8-SOP
Seri / Aile Numarası
RSH065N06TB

RSH065N06TB1 Hakkında

RSH065N06TB1, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 6.5A sürekli drain akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. Surface mount 8-SOP paket formatında sunulur. 10V gate geriliminde 37mOhm on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Gate threshold gerilimi 2.5V (1mA'da) ile hızlı anahtarlama özellikleri vardır. Maksimum 2W güç yayınlama kapasitesi ve 150°C çalışma sıcaklığına kadar destekler. Endüstriyel uygulamalar, motor kontrol, güç dönüştürücüler ve anahtarlamali güç kaynakları gibi alanlarda kullanılan genel amaçlı MOSFET çözümüdür. Not: Bu ürün yeni tasarımlar için önerilmemektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 900 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Part Status Not For New Designs
Power Dissipation (Max) 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 37mOhm @ 6.5A, 10V
Supplier Device Package 8-SOP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) 20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok