Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RSD221N06TL

MOSFET N-CH 60V 22A CPT3

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
RSD221N06TL

RSD221N06TL Hakkında

RSD221N06TL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilim (Vdss) ve 22A sürekli drain akımı (Id) ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 26mΩ maksimum Rds(On) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 4V ve 10V gate sürücü gerilimlerinde çalışabilir. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketi ile PCB tasarımında kompakt alan kullanımı sağlar. Motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler, anahtarlama uygulamaları ve güç yönetimi devrelerinde yaygın olarak tercih edilir. -40°C ile +150°C arasında çalışır ve 20W (Tc) termal disipasyon kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 22A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1500 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 850mW (Ta), 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 22A, 10V
Supplier Device Package CPT3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok