Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RSD200N10TL
MOSFET N-CH 100V 20A CPT3
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RSD200N10TL
RSD200N10TL Hakkında
RSD200N10TL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim (Vdss) ve 20A sürekli drain akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPak) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 52mOhm maksimum on-resistance değeri ile düşük kayıp işletme sağlar. 48.5nC gate charge ve 2200pF input kapasitans özellikleri sayesinde hızlı komütasyon gerçekleştirir. ±20V gate-source gerilim aralığında çalışan cihaz, 150°C maksimum junction sıcaklığında 20W güç dağıtabilir. Güç dönüştürme, motor kontrolü ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Bileşen üretimi sonlandırılmıştır (obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2200 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 20W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | CPT3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok