Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RSD200N05TL

MOSFET N-CH 45V 20A CPT3

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
RSD200N05TL

RSD200N05TL Hakkında

RSD200N05TL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 45V drain-source voltajı ve 20A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10V gate voltajında 28mOhm on-resistance ile düşük güç kaybı sağlar. TO-252-3 (DPak) surface mount paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrolü, güç yönetimi, PWM şoför devreler ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. ±20V maksimum gate-source voltajı toleransı ve 150°C çalışma sıcaklığı ile endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygun tasarlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 45 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 950 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package CPT3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok