Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RSD175N10TL

MOSFET N-CH 100V 17.5A CPT3

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
RSD175N10TL

RSD175N10TL Hakkında

RSD175N10TL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source voltajı ve 17.5A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPak) kasa tipi ile surface mount montajına uygun tasarlanmıştır. Maksimum 105mOhm on-direnci (10V gate geriliminde) ile düşük güç kaybı sağlar. 2.5V eşik gerilimi ve 24nC gate yükü ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. -40°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüler, solenoid kontrolü ve güç yönetimi devrelerinde yaygın olarak uygulanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 950 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105mOhm @ 8.8A, 10V
Supplier Device Package CPT3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok