Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RSD150N06TL

MOSFET N-CH 60V 15A CPT3

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
RSD150N06TL

RSD150N06TL Hakkında

RSD150N06TL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 15A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 40mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. TO-252-3 (DPak) yüzey monte paketinde sunulur. Anahtarlama devreleri, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve elektrik yönetim sistemlerinde uygulanır. ±20V gate gerilim aralığında çalışır ve maksimum 150°C junction sıcaklığında operasyon sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 930 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package CPT3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok