Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RSD131P10TL
MOSFET P-CH 100V 13A CPT3
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RSD131P10TL
RSD131P10TL Hakkında
RSD131P10TL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 13A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, düşük on-resistance (200mOhm @ 10V) ile yüksek verimlilik sağlar. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan transistör, güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 2.5V gate threshold voltajı ve ±20V maksimum gate gerilimi ile geniş uyumluluğa sahiptir. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilen bu MOSFET, endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 850mW (Ta), 20W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 6.5A, 10V |
| Supplier Device Package | CPT3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok