Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RSD100N10TL
MOSFET N-CH 100V 10A CPT3
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RSD100N10TL
RSD100N10TL Hakkında
RSD100N10TL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 10A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. CPT3 paket tipi (TO-252-3, DPak) ile yüzey monte edilebilir. Maksimum 133mOhm Rds(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında düşük kayıp sağlar. Gate charge değeri 18nC olup hızlı komütasyon gerektiren devrelerde kullanılabilir. Maksimum 20W güç tüketim kapasitesine ve 150°C'ye kadar çalışma sıcaklığına sahiptir. Motor kontrol, power management, DC-DC konvertörleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 700 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 20W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 133mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | CPT3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok