Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RSD080P05TL

MOSFET P-CH 45V 8A CPT3

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
RSD080P05

RSD080P05TL Hakkında

RSD080P05TL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 45V drain-source voltaj ve 8A sürekli dren akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate voltajında 91mOhm RDS(on) değerine sahiptir. ±20V maksimum gate-source voltaj ve 3V gate-source eşik voltajı ile karakterize edilir. 150°C maksimum işletme sıcaklığında 15W güç yayabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, DC-DC konverterler ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. 93.4nC gate charge ve 11000pF input kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 45 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 93.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 11000 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 15W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 91mOhm @ 8A, 10V
Supplier Device Package CPT3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok