Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RSD080N06TL
MOSFET N-CH 60V 8A CPT3
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RSD080N06TL
RSD080N06TL Hakkında
RSD080N06TL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 8A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. Maksimum Rds(on) değeri 10V gate geriliminde 80mΩ olup, düşük iletim kayıpları sağlar. TO-252 (DPak) yüzey montajlı paket kullanır ve 150°C maksimum işletme sıcaklığında çalışabilir. Gate kapasitesi 380pF ve gate charge 9.4nC'dir. Anahtarlama uygulamaları, DC-DC konvertörler, motor kontrol devreleri ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 15W maksimum güç dissipasyonu ile orta güç uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 380 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 15W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | CPT3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok