Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RSD050N10TL
MOSFET N-CH 100V 5A CPT3
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RSD050N10TL
RSD050N10TL Hakkında
RSD050N10TL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 5A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. 190mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 10V gate geriliminde çalışır ve 2.5V kapı eşik gerilimi ile hızlı komütasyonu destekler. 530pF input kapasitanslı ve 14nC gate yükü özellikleriyle yüksek hız anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. TO-252 (DPak) yüzey montaj pakajında sunulur. Endüstriyel kontrol, motor sürücü, DC-DC dönüştürücü ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. -40°C ile +150°C arasında çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 530 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 15W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | CPT3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok