Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RSD050N06TL

MOSFET N-CH 60V 5A CPT3

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
RSD050N06TL

RSD050N06TL Hakkında

RSD050N06TL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj derecelendirilmesi ile 5A sürekli drain akımında çalışır. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-direnci (109mOhm @ 5A, 10V) sayesinde enerji kaybını minimize eder. 150°C maksimum junction sıcaklığında ve 15W güç dağıtımında işletilir. Gate threshold voltajı 3V'da (1mA'da) belirlenmiştir. Güç yönetimi uygulamaları, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol sistemlerinde kullanılan endüstriyel ve tüketici elektroniği ürünlerinde yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 290 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 15W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 109mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package CPT3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok