Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RSD046P05TL

MOSFET P-CH 45V 4.5A CPT3

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
RSD046P05

RSD046P05TL Hakkında

RSD046P05TL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 45V drain-source gerilim ve 4.5A sürekli drain akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 10V gate geriliminde 155mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. CPT3 paketinde sunulan bu bileşen, TO-252-3 (DPak) kasa türüne sahiptir. Maksimum 150°C sıcaklıkta çalışabilir ve 15W güç dağıtımı kapasitesine (Tc) sahiptir. 550pF giriş kapasitansi ve 12nC gate charge özellikleri ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Motor kontrol devreleri, güç yönetimi, aydınlatma kontrolü ve diğer anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 45 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 550 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 850mW (Ta), 15W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 155mOhm @ 4.5A, 10V
Supplier Device Package CPT3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok