Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RSC002P03T316
MOSFET P-CH 30V 250MA SST3
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RSC002P03T316
RSC002P03T316 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RSC002P03T316, 30V drain-source gerilimi ve 250mA sürekli drenaj akımına sahip P-Channel MOSFET'tir. SST3 (SOT-23-3) surface mount paketinde sunulan bu bileşen, 10V Vgs'de 1.4Ω maksimum on-state direnci ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. ±20V gate-source gerilim aralığında çalışan transistör, düşük güç tüketimi gerektiren dijital devreler, güç yönetimi, sinyal anahtarlaması ve darbe genişlik modülasyonu (PWM) kontrol uygulamalarında tercih edilir. 150°C maksimum işletme sıcaklığında ve 200mW güç dağılımında tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 250mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 30 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 200mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 250mA, 10V |
| Supplier Device Package | SST3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok