Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RS3L110ATTB1
PCH -60V -11A POWER MOSFET - RS3
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-SOP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RS3L110ATTB1
RS3L110ATTB1 Hakkında
RS3L110ATTB1, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-Channel Power MOSFET'tir. 60V drain-source voltajı ve 11A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 12.8mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. 8-SOP yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlara uygun hale getirilmiştir. Anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri, yük anahtarlaması ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak uygulanır. ±20V gate voltajı aralığında güvenli çalışır ve 150°C'ye kadar sıcaklık toleransı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 115 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6300 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.4W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.8mOhm @ 11A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok