Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RS3E180ATTB1
MOSFET P-CH 30V 18A 8SOP
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-SOP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RS3E180ATTB1
RS3E180ATTB1 Hakkında
RS3E180ATTB1, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 18A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. 8-SOP yüzey montajlı paket ile sunulan bileşen, düşük 5.4mΩ on-resistance (Rds On) değerine sahiptir. 4.5V ve 10V gate sürme gerilimleri için optimize edilmiştir. 150°C maksimum çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç yönetimi sistemleri ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. Gate kapasitansi 7200pF ve gate yükü 160nC ile hızlı anahtarlama karakteristiği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 160 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7200 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.4W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.4mOhm @ 18A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok