Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RS3E135BNGZETB
MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-SOP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RS3E135
RS3E135BNGZETB Hakkında
RS3E135BNGZETB, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim ve 9.5A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 8-SOP paket tipinde sunulan bu transistör, düşük gate charge (8.3nC @ 4.5V) ve optimum RDS(on) değeri (14.6mOhm @ 9.5A, 10V) ile röle sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve genel anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sağlar. 2W güç dissipasyon kapasitesi ile orta güç uygulamaları için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 680 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.6mOhm @ 9.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok