Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RS3E130ATTB1
PCH -30V -13A POWER MOSFET : RS3
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-SOP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RS3E130ATTB1
RS3E130ATTB1 Hakkında
RS3E130ATTB1, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-Channel Power MOSFET'tir. 30V drain-source voltaj desteği ile -13A sürekli drain akımı sağlayabilir. 8.5mΩ maksimum on-resistance değeri ile düşük güç kaybı karakteristiğine sahiptir. Surface mount 8-SOP paketinde sunulan bu transistör, ±20V gate voltaj aralığında çalışır. 150°C maksimum junction sıcaklığında güvenli çalışma garantiler. Motor kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi sistemleri ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. Düşük gate charge değeri (83nC @ 10V) hızlı komütasyon gerektiren uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 83 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3730 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.4W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5mOhm @ 13A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 2mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok