Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RS3E075ATTB
MOSFET P-CH 30V 8SOP
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-SOP-J
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RS3E075A
RS3E075ATTB Hakkında
RS3E075ATTB, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source voltaj desteği ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 10V gate voltajında 23.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. 8-SOP-J yüzey montajlı paket içinde sunulmaktadır. Gate charge değeri 25nC @ 10V olup, hızlı komütasyon gerektiren uygulamalar için uygundur. Maksimum 2W güç harcanabilme kapasitesi ile güç kaynakları, motor kontrol, PWM uygulamaları ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde kullanılabilir. ±20V maksimum gate-source voltajı ile geniş çalışma aralığı sunmaktadır. Çalışma sıcaklığı 150°C'ye kadar çıkabilir. Not: Bu bileşen yeni tasarımlarda kullanımı önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1250 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23.5mOhm @ 7.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOP-J |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok