Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RS1P600BETB1
MOSFET N-CH 100V 17.5A/60A 8HSOP
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RS1P600BE
RS1P600BETB1 Hakkında
RS1P600BETB1, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi (Vdss) ile çalışabilir ve 25°C'de 17.5A sürekli drain akımı sağlar. 8-PowerTDFN (8-HSOP) paketinde sunulan bu bileşen, 9.7mΩ kapalı duruş direnci (RdsOn) ile düşük güç kaybı özellikleri sayesinde anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. Maksimum 3W (Ta) veya 35W (Tc) güç tüketimi destekler. ±20V gate voltajı aralığında çalışabilir ve 150°C'ye kadar işletim sıcaklığına sahiptir. Bileşen, yeni tasarımlara önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17.5A (Ta), 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2200 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta), 35W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.7mOhm @ 17.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-HSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 500µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok