Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RS1L180GNTB
MOSFET N-CH 60V 18A/68A 8HSOP
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RS1L180G
RS1L180GNTB Hakkında
RS1L180GNTB, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilim derecesi ile tasarlanmış olup, 25°C'de 18A sürekli akım, Tc'de ise 68A akım kapasitesine sahiptir. 8-PowerTDFN (8-HSOP) paketinde sunulan bu bileşen, Rds(on) değeri 10V Vgs'de 5.6mOhm olarak belirlenmiştir. Maksimum ±20V gate-source gerilimi ve 2.5V eşik gerilimi ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 150°C maksimum çalışma sıcaklığında, güç yönetimi, motor kontrolü, LED sürücüleri ve endüstriyel anahtarlama devrelerinde uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Ta), 68A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3230 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.6mOhm @ 18A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-HSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok