Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RS1L151ATTB1
PCH -60V -56A, HSOP8, POWER MOSF
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RS1L151ATTB1
RS1L151ATTB1 Hakkında
RS1L151ATTB1, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-Channel Power MOSFET transistördür. -60V drain-source voltajı ve 56A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 8-HSOP yüzey montajlı paket ile sunulan bu bileşen, 10V gate voltajında 11.3mOhm on-resistance değerine sahiptir. Gate charge 130nC ve input capacitance 6900pF olarak belirtilmiştir. Maksimum ±20V gate-source voltajında çalışır ve 150°C junction sıcaklığına dayanıklıdır. Yüksek akım anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürme devreleri, motor kontrol ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak kullanılır. SMD paketinin kompakt yapısı, endüstriyel ve tüketici elektronik ürünlerinde alan tasarrufu sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 56A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6900 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.3mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-HSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok