Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RS1L120GNTB
MOSFET N-CH 60V 12A/36A 8HSOP
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RS1L120G
RS1L120GNTB Hakkında
RS1L120GNTB, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilim derecelendirmesi ve 12A sürekli akım kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 8-PowerTDFN paket tipi ile kompakt PCB tasarımına uygun bir çözüm sunar. 12.7mOhm (10V, 12A) on-resistance değeri ile verimli güç transferi sağlayan bu bileşen, motor kontrol, güç yönetimi, LED sürücüler ve endüstriyel kontrol uygulamalarında tercih edilir. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile geniş kontrol aralığına sahiptir. 150°C maksimum junction sıcaklığında güvenli çalışma özellikleri bulunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta), 36A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1330 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.7mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-HSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.7V @ 200µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok