Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RS1G300GNTB

MOSFET N-CH 40V 30A 8HSOP

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
RS1G300G

RS1G300GNTB Hakkında

RS1G300GNTB, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide MOSFET transistörüdür. 40V drain-source voltaj ve 30A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç yönetimi, motor kontrol, DC-DC konvertörler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 2.5mΩ maksimum Rds(On) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. 8-PowerTDFN (8-HSOP) SMD paketinde sunulan bileşen, ±20V gate voltaj aralığında çalışır ve 150°C maksimum junction sıcaklığında güvenli operasyon sunar. 56.8nC gate charge değeri hızlı anahtarlama karakteristiğini gösterir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4230 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3W (Ta), 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package 8-HSOP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok