Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RS1G260MNTB
MOSFET N-CH 40V 26A 8HSOP
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RS1G260
RS1G260MNTB Hakkında
RS1G260MNTB, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltajında 26A sürekli akım kapasitesine sahiptir. 10V gate voltajında 3.3mOhm on-resistance değeri ile düşük kayıp uygulamalarında kullanılabilir. Surface mount 8-PowerTDFN (8-HSOP) paketinde sunulur. Maksimum 150°C junction sıcaklığına kadar çalışabilir. Gate charge 44nC olup hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Motor sürücüleri, güç dönüştürücüleri, anahtarlamalı güç kaynakları ve yüksek akımlu yük kontrolü devreleri gibi uygulamalarda kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 26A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2988 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta), 35W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3mOhm @ 26A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-HSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok