Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RS1G201ATTB1
MOSFET P-CH 40V 20A/78A 8HSOP
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RS1G201A
RS1G201ATTB1 Hakkında
RS1G201ATTB1, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilim, 20A (Ta) / 78A (Tc) sürekli drain akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 8-PowerTDFN (8-HSOP) yüzey montajlı pakette sunulur. 5.2mΩ (20A, 10V'da) on-state dirençle ve 130nC gate yükü ile düşük geçiş kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Motor kontrol devreleri, güç yönetimi uygulamaları, anahtarlama devreleri ve yüksek akımlı anahtarlamada kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Ta), 78A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6890 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta), 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-HSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok