Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RS1G180MNTB
MOSFET N-CH 40V 18A/80A 8HSOP
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RS1G180
RS1G180MNTB Hakkında
RS1G180MNTB, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V Drain-Source voltaj derecesi ve 18A kontinü drain akımı (Ta @ 25°C) kapasitesiyle tasarlanmıştır. 8-HSOP yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 7mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Gaz boşaltma uygulamaları, güç yönetimi devrelerinde switch kontrolü, motor sürücüleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi endüstriyel ve consumer elektronik uygulamalarında kullanılır. -40V ile +20V Vgs aralığında çalışabilir, maksimum 150°C junction sıcaklığında güvenli operasyon gerçekleştirir. 3W (Ta) / 30W (Tc) güç dağılımı kapasitesiyle tasarlandı.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Ta), 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1293 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta), 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 18A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-HSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok