Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RS1G150MNTB

MOSFET N-CH 40V 15A 8HSOP

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
RS1G150

RS1G150MNTB Hakkında

RS1G150MNTB, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source gerilim (Vdss) ve 15A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10.6mΩ düşük on-direnç (Rds On), hızlı anahtarlama özellikleri ve 150°C yüksek çalışma sıcaklığı ile güç dönüştürücüler, DC-DC regülatörler, motor kontrolü ve battery management sistemlerinde yer alır. 8-HSOP yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, kompakt tasarım gerektiren endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarına uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 930 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.6mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package 8-HSOP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok