Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RS1G120MNTB
MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RS1G120
RS1G120MNTB Hakkında
RS1G120MNTB, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltaj kapasitesiyle ve 12A sürekli drain akımı ile güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 8-PowerTDFN yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 16.2mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletkenim direnci sağlar. Endüstriyel kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve güç dağıtım sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. 150°C işletim sıcaklığı ve 25W termal kapasite ile yüksek güç uygulamalarına uygun tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 570 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta), 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.2mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-HSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok