Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RS1E350GNTB
MOSFET N-CH 30V 35A/80A 8HSOP
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RS1E350G
RS1E350GNTB Hakkında
RS1E350GNTB, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 35A (Ta) / 80A (Tc) sürekli drenaj akımı ile anahtarlama ve güç kontrol uygulamalarında kullanılır. 1.7mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 8-PowerTDFN yüzey montaj paketinde sunulur. Motor kontrol, güç kaynakları, LED sürücüleri ve endüstriyel anahtarlama devrelerinde tercih edilir. Maksimum ±20V gate gerilimi ve 150°C çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Ta), 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4060 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7mOhm @ 35A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-HSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok