Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RS1E350BNTB
MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RS1E350BNTB
RS1E350BNTB Hakkında
RS1E350BNTB, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajı ve 35A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Düşük 1.7mΩ on-direnci (Rds On @ 35A, 10V) sayesinde ısıl kaybı minimize eder. 8-PowerTDFN SMD paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, anahtarlamalı güç kaynakları, LED sürücüler ve endüstriyel güç yönetimi devrelerinde yaygın olarak uygulanır. ±20V gate voltajı aralığında çalışır ve -40°C ile +150°C arasında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 185 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7900 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 35W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7mOhm @ 35A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-HSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok