Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RS1E321GNTB1
MOSFET N-CH 30V 32A/80A 8HSOP
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RS1E321GNTB1
RS1E321GNTB1 Hakkında
RS1E321GNTB1, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V maksimum dren-kaynak gerilimi (Vdss) ile 32A sürekli akım (Ta) ve 80A akım (Tc) kapasitesine sahiptir. 2.1mΩ düşük RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Surface Mount 8-HSOP paket tipiyle PCB'ye doğrudan entegrasyona uygun tasarlanmıştır. ±20V kapı gerilim (Vgs) aralığında çalışır ve 2.5V eşik gerilimi ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. İleri sürücülük, motor kontrolü, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. 150°C maksimum çalışma sıcaklığı ile endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında tercih edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 32A (Ta), 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2850 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1mOhm @ 32A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-HSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok