Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RS1E281BNTB1
MOSFET N-CH 30V 28A/80A 8HSOP
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RS1E281B
RS1E281BNTB1 Hakkında
RS1E281BNTB1, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V Drain-Source gerilimi ve 28A sürekli akım kapasitesi ile tasarlanmıştır. 8-PowerTDFN paket türünde üretilen bileşen, 2.3mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Gate şarjı 94nC olup, 4.5V ve 10V sürüş gerilimlerinde optimize edilmiştir. 150°C maksimum çalışma sıcaklığında güvenli operasyon yapabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve motor sürücü uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Surface mount teknolojisi ile üretildiği için otomatik montaj proseslerine uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 28A (Ta), 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 94 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5100 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3mOhm @ 28A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-HSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok