Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RS1E260ATTB1
MOSFET P-CH 30V 26A/80A 8HSOP
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RS1E260A
RS1E260ATTB1 Hakkında
RS1E260ATTB1, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltaj desteği ve 26A (Ta) / 80A (Tc) kontinü akım kapasitesi ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 3.1mΩ (10V, 26A) ile düşük on-state direnci sayesinde verimli enerji iletimi sağlar. 8-PowerTDFN (8-HSOP) yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, -40°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında sabit performans gösterir. Güç kaynağı tasarımları, motor kontrol devreleri ve yüksek akımlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 26A (Ta), 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 175 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7850 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.1mOhm @ 26A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-HSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok