Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RS1E240GNTB

MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
RS1E240G

RS1E240GNTB Hakkında

RS1E240GNTB, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim aralığında 24A sürekli dren akımı yeteneğine sahiptir. Düşük on-resistance değeri (3.3mOhm @ 24A, 10V) sayesinde güç kaybı minimumda tutulur. 8-PowerTDFN yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur. Güç uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde, DC-DC konvertörlerde ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maksimum 150°C çalışma sıcaklığına ve 27.4W güç dağılımı kapasitesine sahiptir. Gate charge değeri 23nC olup hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 24A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1500 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3W (Ta), 27.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3mOhm @ 24A, 10V
Supplier Device Package 8-HSOP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok