Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RS1E220ATTB1
MOSFET P-CH 30V 22A/76A 8HSOP
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RS1E220A
RS1E220ATTB1 Hakkında
RS1E220ATTB1, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ile tasarlanmış, 22A sürekli drain akımı (Ta) ve 76A soğutucu ısısında (Tc) çalışabilir. 4.1mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine sahiptir. 8-PowerTDFN SMD pakette sunulan bu bileşen, güç yönetimi, anahtarlama devreleri, motor kontrol uygulamaları ve hızlı anahtarlama gerektiren endüstriyel uygulamalarda kullanılır. ±20V gate-source gerilimi aralığında çalışır ve maksimum 3W güç tüketimi ile termal yönetimi etkili biçimde yapılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22A (Ta), 76A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5850 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.1mOhm @ 22A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-HSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 2mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok