Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RS1E200BNTB
MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RS1E200B
RS1E200BNTB Hakkında
RS1E200BNTB, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V Drain-Source geriliminde 20A sürekli akım kapasitesine sahiptir. 10V gate geriliminde 3.9mOhm düşük RDS(on) değeri ile güç kayıplarını minimize eder. 8-PowerTDFN (8-HSOP) yüzey montajlı paket içinde sunulur. Junction sıcaklığında 150°C'ye kadar çalışabilir. DC-DC konvertörleri, motor kontrol devreleri, anahtarlamalı güç kaynakları ve yük anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Gate threshold voltajı 2.5V olup ±20V gate gerilim aralığında güvenli çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 59 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3100 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta), 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-HSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok