Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RRS110N03TB1
MOSFET N-CH 30V 11A 8SOP
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-SOP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RRS110N03TB
RRS110N03TB1 Hakkında
RRS110N03TB1, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) olup, 30V drain-source voltaj ve 11A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 8-pin SOP (Small Outline Package) paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-state direnci (Rds On: 12.6mΩ @ 11A, 10V) ile verimli güç değiştirme uygulamalarında kullanılır. Motor denetim devreleri, anahtarlama güç kaynakları, LED sürücüleri ve benzer yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 150°C maksimum çalışma sıcaklığı ve 2W güç dağılımı kapasitesi ile kompakt tasarımlara uygun bir çözümdür. Bileşen EOL (End of Life) durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2000 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.6mOhm @ 11A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok